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首页 > 供应产品 > STFU9N65M2和IRLB3036PBF分立半导体
STFU9N65M2和IRLB3036PBF分立半导体
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产品: 浏览次数:52STFU9N65M2和IRLB3036PBF分立半导体 
品牌: 原品牌
单价: 6.00元/只
最小起订量: 5 只
供货总量: 40000 只
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2019-05-29 19:38
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详细信息
明佳达电子火热促销    STFU9N65M2 和 IRLB3036PBF  晶体管    全新正品   百分百原装    质量保证    海量库存    实单价格可详谈


一、STFU9N65M2 :
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 900 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 20W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包



二、IRLB3036PBF :
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 165A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 380W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3



 
以上为 STFU9N65M2 和 IRLB3036PBF  晶体管 的详细参数,深圳市明佳达电子有限公司为您提供质量上乘的原装产品,库存货源充足,百分百正品,质量保证,网上标价以及提供的产品信息、图片,仅供参考,实际交易以咨询为准,有意者欢迎来电联系我们!!!


 

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