返回主站|会员中心|保存桌面|手机浏览
普通会员

深圳市明佳达电子有限公司

市场,工厂,美洲,东亚等地区

产品分类
  • 暂无分类
站内搜索
 
首页 > 供应产品 > 供应SPP11N65C3和BSZ110N06NS3G晶体管
供应SPP11N65C3和BSZ110N06NS3G晶体管
点击图片查看原图
产品: 浏览次数:20供应SPP11N65C3和BSZ110N06NS3G晶体管 
品牌: 原品牌
单价: 8.00元/只
最小起订量: 2 只
供货总量: 30000 只
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2019-11-10 05:57
  询价
详细信息
 深圳市明佳达电子有限公司    现货供应   SPP11N65C3 和 BSZ110N06NS3G 晶体管    全新货源    百分百正品    只做原装    质量保证    库存货源充足   实单价格可详谈



一、SPP11N65C3 :
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 380 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3-1
封装/外壳 TO-220-3




二、BSZ110N06NS3G :
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 23µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8
封装/外壳 8-PowerVDFN




公司还长期供应以下型号:
PEX8748-CA80BCG
MSP430FR2532IRGER
SPP11N65C3
PXAC200902FC
BSZ110N06NS3G
UCC21521ADWR
4-1393789-7
AMC7832IPAPR
AD5693RACPZ
BCM56305B1KEBG
DAC38RF83IAAV
IPI126N10N3G
SPD08N50C3
IPB180N04S4-00
LTC3868EUH
NIS5112D2R2G
TCA9548ARGER
BQ24038RHLR
 

售后服务:
非人为失误导致引脚氧化,上机无法正常工作等系列质量问题,30天包换.(退换流程:客户自签收起15天内应完成抽样测试,如有质量问题,请在30天内提供检测反馈报告或照片,证实有效即可退或换)


网上标价以及提供的产品信息、图片,仅供参考,实际交易以咨询为准,有意者欢迎来电联系我们 !!!
询价单
0条  相关评论